中央研究院院士、交通大學終身講座教授施敏獲全球電機電子工程師學會（IEEE）頒贈2017年度「尊榮會員」〈Celebrated Member〉，將於12月4日受獎。全球迄今僅有九位科學家獲此殊榮，包括1973年諾貝爾物理獎得主Leo Esaki、2000年物理獎得主Herbert Kroemer及2009年物理獎得主George E. Smithm，而施敏為台灣獲此獎項的第一人。
全球電機電子工程師學會指出，「尊榮會員」的成就讓學會感到榮耀，能從中汲取靈感、促進相關領域進步，進而改變世界，對施敏教授對人類帶來的影響與福祉給予高度肯定。
施敏於1963年獲美國史丹福大學電機博士，畢業後進入貝爾實驗室(Bell Labs)任職。1967年，與貝爾實驗室韓籍同事姜大元博士發現「浮閘記憶體效應」(Floating-gate memory effect)。此效應延伸出多種「浮閘記憶體」，包括EEPROM及快閃記憶體。「浮閘記憶體」拔除電源後資料不會隨之揮發，仍能保有記憶體內容。現今人類走入智慧生活的數位新時代，從智慧型手機、平板電腦、數位電視、數位相機到全球定位系統，「可帶著走」的電子產品都歸功於「浮閘記憶體」。此記憶體更促成人工智慧、大數據、雲端運算、物聯網、固態碟、機器人及自駕車之快速發展。1969年，施教授以英文編寫八百多頁的《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）引起全球矚目，被翻譯成六國語言、發行超過300萬冊，被引用超過四萬七千次，被譽為「半導體界的聖經」。
在貝爾實驗室任職27年期間，施教授數度留職停薪回台任教。自貝爾實驗室退休後到交大任教至今。其實驗室如同台灣半導體產業人才搖籃，學生包括前交大校長張俊彥、鈺創董事長盧超群、台積電研發副總經理暨技術長孫元成等半導體之菁英。教過的學生逾萬人，成為台灣半導體業的根基。施教授也在孫運璿資政擔任經濟部長時，擔任產業顧問，對我國發展半導體產業提出許多重要的建議與貢獻。台灣現有蓬勃發展的半導體產業，以及傲視國際的半導體人才，施教授功不可沒。
施教授的發現與成就受世界推崇，是少數當選中央研究院院士、美國國家工程院院士以及中國工程院外籍院士的三院院士，同時也獲得工研院院士、全球「快閃記憶體高峰會」（Flash Memory Summit）「終身成就獎」，以及日本應用物理學會（Japan Society of Applied Physics）頒贈的「日本應用物理學會國際會士」。
今（2017）年是施教授「浮閘記憶體效應」發現五十周年的里程碑。交大特別舉辦「國際非揮發性記憶體研討會」，邀請施教授及多國記憶體知名大師，共同探討技術發展趨勢。研討會最重要的結論只有一個，就是至今尚無任何記憶體技術，能夠取代「浮閘記憶體」。施敏教授對半導體科技進展與社會的貢獻實為深遠，貢獻卓著，為世人所共睹。
(旺報)
from 《中時電子報》生活 http://ift.tt/2BxQYCt
沒有留言:
張貼留言